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問(wèn)題來(lái)源：通過(guò)總結(jié)官網(wǎng)、微信后臺(tái)留言及展會(huì)交流中的客戶反饋，發(fā)現(xiàn)在大尺寸基片上鍍膜及所鍍膜層厚度的均勻性是研究者所關(guān)注的熱點(diǎn)。

   基片膜厚均勻性是衡量薄膜質(zhì)量和鍍膜設(shè)備的一項(xiàng)重要因素。基于膜厚均勻性的重要意義，科晶應(yīng)用技術(shù)實(shí)驗(yàn)室利用磁控濺射的方法從“如何利用小平面靶材在大尺寸基片上獲得良好均勻性的薄膜”開(kāi)展了系列實(shí)驗(yàn)。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：

圖組一

   為更直觀的檢測(cè)四英寸基片膜厚均勻性，選取基片直徑處的樣品進(jìn)行斷面形貌表征析，如下圖。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：薄膜厚度約為3.3μm，且不同位置的膜厚誤差約為0.2μm，表明基片上膜厚較為均勻。利用小平面靶材，結(jié)合科晶VTC-3RF磁控濺射設(shè)備成功在大尺寸基片上獲得均勻性較好的薄膜。

圖組二

樣品選取

特別提示：

以上具體實(shí)驗(yàn)參數(shù)如果您感興趣，請(qǐng)與合肥科晶應(yīng)用技術(shù)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)系索要具體數(shù)據(jù)。

特別聲明：

1. 以上所有實(shí)驗(yàn)僅供參考。

2.歡迎您提出其他實(shí)驗(yàn)思路，我們來(lái)驗(yàn)證。

3.以下實(shí)驗(yàn)案例及數(shù)據(jù)只針對(duì)科晶設(shè)備，不一定具有普遍性。

4.歡迎老師與我們聯(lián)系，我們非常期待和您共同探討設(shè)備的應(yīng)用技術(shù)。