| 特點 | · 采用高質(zhì)量的不銹鋼和陶瓷材料制作 · 采用電磁場的有元計算法來設(shè)計永磁體，以得到較高的磁場強度和均強場分布 · 磁體表面涂有一層保護層，以防止冷卻水的腐蝕，延長其使用壽命 · 標準的HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配 · 安裝是采用標準真空接頭，便于操作 · 更換靶材較為簡單，無需調(diào)整濺射頭的高度 配有一塊銅靶
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| 濺射頭 | · 濺射頭的直徑:46.3mm · 所用靶的直徑:1.0 ± 0.02"(25.4mm) · 靶材的最大厚度: 1/8" (3mm) · 磁環(huán):NdFeB稀土永磁鐵 桿的直徑: 3/4" O.D.
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| 所需功率 | DC (最大) 250 W RF （最大）100 W |
| 最大陰極濺射電流 | 3A |
| 陰極濺射電流 | 200 - 1,000 V |
| 可選壓力范圍 | ~1 mTorr 至1 Torr |
| 濺射厚度均勻性圖 | · · 注意：此圖是采用磁控濺射得的到一個200nm的薄膜，所用靶材為1英寸的銅靶。薄膜是沉積在氧化的硅片上，實驗參數(shù)為： · 功率：直流150W · 真空環(huán)境：10mTorr(Ar) 靶材與基片的距離：75mm |
| 水冷卻 | · 所需水流量： 1/2 GPM · 進水溫度：<20 ℃ 水管接頭：0.25" O.D快插頭
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| 接頭 | · 電路連接接頭：標準的HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配 · 本公司會贈送一高真空快速接頭 · 此快速接頭的內(nèi)徑為0.75"，可將濺射頭安裝在真空腔體上，真空腔體上的安裝孔直徑為1英寸，真空腔體的壁厚不得大于1英寸
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| 產(chǎn)品長度 | 14英寸（355.6mm) |
| 產(chǎn)品重量 | 1.36kg |
| 傾斜裝置 | · 濺射頭相對于桿最大可傾斜+/- 45度 · 傾斜裝置上有刻度線，可觀察到靶頭傾斜的角度
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| 可選配件 | · 循環(huán)水冷機，流量為16L / min ，水箱容積為6L 本公司可提供各種配件可與HVMSS-SPC-1-LD配套，讓客戶自己搭建磁控濺射儀 |
| 質(zhì)保期 | 一年質(zhì)保期終身維護 |
| 應(yīng)用 | · 在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜，下面是一些應(yīng)用： · 薄膜涂覆 · 半導體器件 · 磁記錄介質(zhì) · 超導薄膜 · 量子計算器件 · MEMS · 生物傳感器 · 納米技術(shù) · 超晶格 · 顆粒膜 · 記憶合金 · 組合薄膜沉積 光學薄膜 |
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