名稱型號 | 全自動雙爐滑動CVD系統(1200℃ Max) OTF-1200X-S2-50SL-CV |
產品特點 | ·采用雙爐體滑動結構。 ·采用觸控一體機控制三個模塊系統。 ·可存儲實驗參數生成工藝曲線,可調取工藝曲線一鍵運行設備。 ·采用雙層殼體結構,并帶有風冷系統。 ·爐膛采用高純多晶氧化鋁纖維,最大程度的減少能量損失。 |
加熱爐系統 | ·電壓:單相 AC220V 50/60Hz ·最高溫度: 1200℃ (<30min) ·額定溫度: 1100℃ ·推薦升溫速率:≤10℃/min ·加熱區長度200mm ·兩臺加熱爐最大功率:2.4KW ·高純石英管Ф50*1500mm ·設備總功率4KW ·加熱爐是手動滑動,可以選配電動(一臺爐子固定,一臺爐子滑動) |
溫控系統 | · 包含一款518系列型溫度控制器 · PID自動控溫系統 · 智能化30段可編程控制 · 默認DB9 PC通訊連接端口 · 控溫精度:±1℃ 所有的電氣元件都通過UL或MET認可,并可通過世界范圍內的其他相關安全測試 |
不銹鋼密封法蘭系統 | · 一套Ф50不銹鋼密封法蘭 · 法蘭和石英管采用,O型圈+壓環+O型圈,螺紋壓緊密封 · 左側法蘭裝有機械壓力表、針閥、G1/4進氣口、機械泄壓閥(壓力超過0.02MPa自動泄壓) · 右法蘭裝有壓力傳感器、電磁泄壓閥,KF25抽氣口 |
供氣系統 | ·四通道質子流量控制系統可實現氣體流量精確控制(±0.02%) ·流量范圍: 一路0-100SCCM 二路0-200SCCM 三路0-200SCCM 四路0-500SCCM ·氣體進出口配件:6.35mm的聚四氟管或不銹鋼管; ·電磁閥控制氣體進出 ·可以通過觸控一體機進行流量設置 |
真空系統 | · 配套機械泵,真空度可以達到10-2 ttor · 配套分子泵,真空度可以達到10-5 ttor(選配) |
軟件控制系統 | 1.通過觸控一體機可以手動和自動控制加熱爐系統,供氣系統,真空系統 2.預設工藝自動控制流程步驟如下圖 3.加熱爐溫度,管內真空,進氣流量,這些數據可以實時記錄。如下圖 4.軟件有工藝曲線自動生成功能,把加熱爐溫度,真空度,進氣流量等參數進行存儲生成工藝流程,最大可以存儲100條工藝流程,也可以調出工藝流程一鍵自動運行設備。 5.具有遠程監控和控制設備的功能。 6. 軟件具有可擴展型,可針對CVD系統進行硬件擴展,擴展范圍包括我公司所有類型CVD硬件設備 |
產品尺寸 | · 外形尺寸:2100*750*1220mm(長*寬*高 ) |
重量 | 約210kg |
保質期 | 1年(不包含爐管,氟膠O型圈和加熱元件等損耗件) |
使用注意事項 | · 石英管內氣壓不可高于0.02MPa; · 由于氣瓶內部氣壓較高,所以向石英管內通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,為了確保安全, 建議使用壓力低于0.02MPa,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全; · 對于樣品加熱的實驗,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓 力表的示數,若氣壓表示數大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發生(如爐管破裂,法蘭飛出等) · 我們不建議客戶使用易燃易爆和有毒的氣體,如果客戶工藝原因確實需要使用易燃易爆和有毒氣體,請客戶自行做好 相關防護和防爆措施。由于使用易燃易爆和有毒氣體而造成的相關問題,本公司概不負責。 · 設備需在獨立供電網下工作,電網電壓范圍要求在±8%內,不可與中頻高頻等高磁場發生設備共用供電網,遠離中頻 設備,防止空間電磁輻射。 ·如果同一供電回路存在中、高頻設備,或者大型感性負載,應在供電回路加入適當的電抗柜濾波,配置電容柜自動補償, 諧波檢測和治理,對設備進行電磁隔離處理,否則可能導致加熱爐工作不穩定甚至損壞!此類問題導致加熱爐故障或損壞不 屬于保修范圍。 ·設備請遠離存在液體飛濺場所 ·設備請遠離存在導磁導電粉末 ·保溫和加熱元件為損耗件,保溫材料在燒結過程中出現裂紋為正常現象,可使用修補劑修補,加熱元件為損耗件,在電爐長 時間使用后無法達到工作溫度和升溫明顯緩慢后聯系廠家判斷是否要進行更換, ·該設備高精度溫控范圍為300-1000℃,低溫運行會存在溫度振蕩, ·不建議500℃以上開啟爐膛 |